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IXTH6N90A

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Numero di parte IXTH6N90A
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
Scheda dati

IXTH6N90A Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche IXTH6N90A

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXTH)
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica IXTH6N90A

IXTH6N90A Packaging

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Packing
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IXTH6N90A FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH6N90A is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTH6N90A. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTH6N90A on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTH6N90A products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTH6N90A price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTH6N90A?
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