| Numero di parte | IXTI10N60P |
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| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.904 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | PolarHV? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 740 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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SIT8008AI-71-25E-33.330000D | SiTime, OSC MEMS 33.3300MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, PolarHV? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTI10N60P |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTI10N60P D# IXTI10N60P-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 600V 10A TO262 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTI10N60P D# NS-IXTI10N60P |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
2627 |
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