Name: IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTP1R6N100D2
Availability: InStock
Rating: 5 (160 reviews)

IXTP1R6N100D2

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	IXTP1R6N100D2
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	4.064 piece(s)
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Specifiche IXTP1R6N100D2

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

IXTP1R6N100D2 Packaging

IXTP1R6N100D2 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IXTP1R6N100D2 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IXTP1R6N100D2 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXTP1R6N100D2 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXTP1R6N100D2 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 03AH1621

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DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2 TO-220AB/FP / TUBE

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