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IXTQ110N055P

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IXTQ110N055P

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Numero di parte IXTQ110N055P
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
Scheda dati

IXTQ110N055P Scheda dati
pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche IXTQ110N055P

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SeriePolarHT?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2210pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica IXTQ110N055P

IXTQ110N055P Packaging

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Packing
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IXTQ110N055P FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTQ110N055P is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTQ110N055P. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTQ110N055P on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTQ110N055P products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTQ110N055P price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTQ110N055P?
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    (1)Inform us within 90 days
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