Name: IXTQ180N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ180N10T
Availability: InStock
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IXTQ180N10T

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Numero di parte	IXTQ180N10T
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Scheda dati	IXTQ180N10T Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche IXTQ180N10T

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie	TrenchMV?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	151nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica IXTQ180N10T

IXTQ180N10T Packaging

IXTQ180N10T FAQ

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3. Are the IXTQ180N10T price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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205

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D# IXTQ180N10T-ND

IXYS Corporation

MOSFET N-CH 100V 180A TO3P

Numero di parte

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RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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Descrizione

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

139

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OEM/CM Immediate delivery

165

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D# XSJMZ0000011087

IXYS Corporation

MOSFET DIS.180A 100V N-CH TO3P TRENCHMV THT

120

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D# 03AH1741

Littelfuse Inc

DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3P (3) / TUBE

RoHS: Not Compliant

Min Qty: 30

Container: Bulk

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