Name: JAN2N6052
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN2N6052
Availability: InStock
Rating: 5 (133 reviews)

JAN2N6052

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Numero di parte	JAN2N6052
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3
Scheda dati
pacchetto	TO-3
ECAD
A magazzino	7.392 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche JAN2N6052

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchetto	TO-3
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/501
Transistor Type	PNP - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)	12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 120mA, 12A
Corrente - Limite del collettore (max)	1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 6A, 3V
Potenza - Max	150W
Frequenza - Transizione	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3 (TO-204AA)

JAN2N6052 Packaging

JAN2N6052 FAQ

1. How to order JAN2N6052 on Heisener?

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN2N6052

D# V37:1799_09132849

Microchip Technology Inc

Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN2N6052

D# JAN2N6052

Microchip Technology Inc

Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 - Trays (Alt: JAN2N6052)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN2N6052

D# 1086-21080-ND

Microchip Technology Inc

TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN2N6052

Motorola Semiconductor Products

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN2N6052

Microchip Technology Inc

Power BJT

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Microchip Technology Inc

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Produttore

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Azione

JAN2N6052

D# NS-JAN2N6052

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

1999

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN2N6052

VPT Components

Bipolar Transistors - BJT HI-REL MIL-PRF-19500/501

pbFree: Pb-Free

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