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JANTXV2N7236U

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte JANTXV2N7236U
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione MOSFET P-CH 100V 18A
Scheda dati
pacchetto TO-267AB
ECAD
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Specifiche JANTXV2N7236U

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-267AB
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/595
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)4W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs220 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-267AB
Pacchetto / casoTO-267AB

JANTXV2N7236U Packaging

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Packing
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JANTXV2N7236U FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that JANTXV2N7236U is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V37:1799_14650393

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin SMD-1

RoHS: Not Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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International Rectifier

TRANS MOSFET P-CH 100V 18A 3SMD-1 - Bulk

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# JANTXV2N7236U-ND

Microsemi Corporation

MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N7236U

Infineon Technologies AG

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N7236U

D# NS-JANTXV2N7236U

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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