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Numero di parte NDD03N60ZT4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V DPAK
Scheda dati NDD03N60ZT4G Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
A magazzino 19588 piece(s)
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Specifiche NDD03N60ZT4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Scheda dati NDD03N60ZT4G Scheda dati
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C2.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds312pF @ 25V
Vgs (massimo)��30V
Dissipazione di potenza (max)61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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