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NDD04N60ZT4G

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Numero di parte NDD04N60ZT4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NDD04N60ZT4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Packing
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NDD04N60ZT4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NDD04N60ZT4G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NDD04N60ZT4G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NDD04N60ZT4G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NDD04N60ZT4G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NDD04N60ZT4G price and inventory displayed accurate?
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