Name: NDD60N550U1-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD60N550U1-1G
Availability: InStock
Rating: 5 (88 reviews)

NDD60N550U1-1G

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Numero di parte	NDD60N550U1-1G
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
Scheda dati
pacchetto	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
A magazzino	5.616 piece(s)
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Specifiche NDD60N550U1-1G

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	IPAK (TO-251)
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD60N550U1-1G Packaging

NDD60N550U1-1G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NDD60N550U1-1G we delivered, we will accept the replacement or return of the NDD60N550U1-1G only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NDD60N550U1-1G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NDD60N550U1-1G

D# NDD60N550U1-1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 8.2A 3-Pin IPAK Tube - Bulk (Alt: NDD60N550U1-1G)

RoHS: Compliant

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Descrizione

Azione

NDD60N550U1-1G

D# 2156-NDD60N550U1-1G-ON-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK

20475

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NDD60N550U11G

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23751

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NDD60N550U1-1G

ON Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

20475

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NDD60N550U11G

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

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