Name: NDD60N900U1-35G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD60N900U1-35G
Availability: InStock
Rating: 5 (111 reviews)

NDD60N900U1-35G

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Numero di parte	NDD60N900U1-35G
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
Scheda dati
pacchetto	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
A magazzino	2.672 piece(s)
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Specifiche NDD60N900U1-35G

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-Pak
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD60N900U1-35G Packaging

NDD60N900U1-35G FAQ

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The price and inventory of NDD60N900U1-35G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NDD60N900U1-35G we delivered, we will accept the replacement or return of the NDD60N900U1-35G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NDD60N900U1-35G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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NDD60N900U1-35G

D# NDD60N900U1-35G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin IPAK Tube - Bulk (Alt: NDD60N900U1-35G)

Numero di parte

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Azione

NDD60N900U1-35G

D# 2156-NDD60N900U1-35G-ON-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK

44250

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Descrizione

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NDD60N900U135G

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

51330

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Descrizione

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

RoHS: Compliant

44250

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Descrizione

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ON Semiconductor

Power Field-Effect Transistor

RoHS: Compliant

44250

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