Name: NE3516S02-T1C-A
Brand: CEL
SKU: NE3516S02-T1C-A
Availability: InStock
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NE3516S02-T1C-A

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Numero di parte	NE3516S02-T1C-A
Produttore	CEL
Descrizione	IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Scheda dati	NE3516S02-T1C-A Scheda dati
pacchetto	4-SMD, Flat Leads
ECAD
A magazzino	6.496 piece(s)
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Specifiche NE3516S02-T1C-A

Produttore	CEL
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	4-SMD, Flat Leads
ECAD
Serie	-
Transistor Type	N-Channel GaAs HJ-FET
Frequenza	12GHz
Guadagno	14dB
Voltaggio - Test	2V
Valutazione attuale	60mA
Figura di rumore	0.35dB
Corrente - Test	10mA
Potenza - Uscita	165mW
Tensione - Rated	4V
Pacchetto / caso	4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	S02

Scheda tecnica NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A Packaging

NE3516S02-T1C-A FAQ

1. How to order NE3516S02-T1C-A on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that NE3516S02-T1C-A is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the NE3516S02-T1C-A price and inventory displayed accurate?

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NE3516S02-T1C-A.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as NE3516S02-T1C-A pin diagram, NE3516S02-T1C-A datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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NE3516S02-T1C-A

California Eastern Laboratories (CEL)

SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel

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D# NE3516S02-T1C-A-ND

California Eastern Laboratories (CEL)

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