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Numero di parte | NE3520S03-T1C-A |
---|---|
Produttore | CEL |
Descrizione | FET RF 4V 20GHZ S03 |
Scheda dati | |
pacchetto | 4-SMD, Flat Leads |
ECAD | |
A magazzino | 3.376 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NE3520S03-T1C-A |
California Eastern Laboratories (CEL) |
SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NE3520S03-T1C-A D# 2156-NE3520S03-T1C-A-ND |
Rochester Electronics LLC |
RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C |
2100 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NE3520S03T1CA |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5452 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NE3520S03-T1C-A |
Renesas Electronics Corporation |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET RoHS: Compliant
|
2100 |
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86-755-83210559-827
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