Name: NESG2101M05-A
Brand: CEL
SKU: NESG2101M05-A
Availability: InStock
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NESG2101M05-A

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Numero di parte	NESG2101M05-A
Produttore	CEL
Descrizione	TRANS NPN 2GHZ M05
Scheda dati	NESG2101M05-A Scheda dati
pacchetto	SOT-343F
ECAD
A magazzino	2.880 piece(s)
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Specifiche NESG2101M05-A

Produttore	CEL
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - RF
pacchetto	SOT-343F
ECAD
Serie	-
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5V
Frequenza - Transizione	17GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Guadagno	11dB ~ 19dB
Potenza - Max	500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	130 @ 15mA, 2V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore	M05

Scheda tecnica NESG2101M05-A

NESG2101M05-A Packaging

NESG2101M05-A FAQ

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3. Are the NESG2101M05-A price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NESG2101M05-A

California Eastern Laboratories (CEL)

TRANS NPN 2GHZ M05

515

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NESG2101M05-A

D# NESG2101M05-A-ND

California Eastern Laboratories (CEL)

RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NESG2101M05-A

California Eastern Laboratories (CEL)

NESG2101 Series 5 V 17 GHz 100 mA RF Germanium Transistor - SOT-343

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NESG2101M05A

Renesas Technology Corp

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

298

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NESG2101M05-A

Renesas Electronics Corporation

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 1-ELEMENT, SILICON GERMANIUM, NPN

257

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NESG2101M05A

California Eastern Laboratories (CEL)

OEM/CM ONLY

282

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NESG2101M05-A

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