Name: NGTB30N65IHL2WG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NGTB30N65IHL2WG
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

NGTB30N65IHL2WG

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Numero di parte	NGTB30N65IHL2WG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	IGBT 600V 70A 300W TO247
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	4.592 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche NGTB30N65IHL2WG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 30A
Potenza - Max	300W
Cambiare energia	200µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	135nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	-/145ns
Condizione di test	400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	430ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3

NGTB30N65IHL2WG Packaging

NGTB30N65IHL2WG FAQ

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3. Are the NGTB30N65IHL2WG price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of NGTB30N65IHL2WG fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NGTB30N65IHL2WG we delivered, we will accept the replacement or return of the NGTB30N65IHL2WG only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NGTB30N65IHL2WG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NGTB30N65IHL2WG

D# NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: NGTB30N65IHL2WG)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NGTB30N65IHL2WG

D# NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: NGTB30N65IHL2WG)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NGTB30N65IHL2WG

D# 2156-NGTB30N65IHL2WG-OS-ND

Rochester Electronics LLC

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

1899

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NGTB30N65IHL2WG

D# 3615811

ON Semiconductor

IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING

RoHS: Not Compliant

Min Qty: 120

Container: Tube

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NGTB30N65IHL2WG

D# 863-NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

IGBT Transistors 650V/30A FAST IGBT FSII T

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NGTB30N65IHL2WG

D# 68X4265

ON Semiconductor

650V/30A FAST IGBT FSII TO-247 / TUBE

RoHS: Not Compliant

Min Qty: 120

Container: Bulk

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A, 650V, N-Channel

RoHS: Compliant

1899

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NGTB30N65IHL2WG

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