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NGTB40N120FL2WG

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NGTB40N120FL2WG

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Numero di parte NGTB40N120FL2WG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione IGBT 1200V 80A 535W TO247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche NGTB40N120FL2WG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)80A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Potenza - Max535W
Cambiare energia3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello313nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C116ns/286ns
Condizione di test600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)240ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

NGTB40N120FL2WG Packaging

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Packing
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NGTB40N120FL2WG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NGTB40N120FL2WG is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V36:1790_07304906

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
0
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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 Rail - Bulk (Alt: NGTB40N120FL2WG)

0
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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 Rail (Alt: NGTB40N120FL2WG)

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NGTB40N120FL2WG

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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 Rail (Alt: NGTB40N120FL2WG)

0
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ON Semiconductor

IGBT 1200V 80A 535W TO247

47
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NGTB40N120FL2WG

ON Semiconductor

TO-247 IGBTs RoHS

110
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NGTB40N120FL2WG

D# 2156-NGTB40N120FL2WG-OS-ND

Rochester Electronics LLC

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

1702
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ON Semiconductor

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20270
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB40N120FL2WG

D# 2399115

ON Semiconductor

TRANSISTOR, IGBT, 2V, 80A, TO-247-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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0
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ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

104400
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D# C364882

ON Semiconductor

110
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ON Semiconductor

OEM/CM Immediate delivery

208190
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB40N120FL2WG

D# 28X8012

ON Semiconductor

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247, DC Collector Current:80A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V, Power Dissipation Pd:535W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 90
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0
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NGTB40N120FL2WG

D# 7961359

ON Semiconductor

ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole, EA

Min Qty: 1
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ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A, 1200V, N-Channel

RoHS: Compliant
1702
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ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

15165
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IGBT - Field Stop II

870
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ON Semiconductor

TRANSISTOR, IGBT, 2V, 80A, TO-247-3

RoHS: Compliant
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