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NGTB50N65FL2WG

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Numero di parte NGTB50N65FL2WG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 50A TO247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche NGTB50N65FL2WG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)100A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Potenza - Max417W
Cambiare energia1.5mJ (on), 460µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello220nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C100ns/237ns
Condizione di test400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)94ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

NGTB50N65FL2WG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

NGTB50N65FL2WG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NGTB50N65FL2WG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NGTB50N65FL2WG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NGTB50N65FL2WG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NGTB50N65FL2WG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NGTB50N65FL2WG price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V36:1790_07304082

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: NGTB50N65FL2WG)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

D# NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: NGTB50N65FL2WG)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

D# NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: NGTB50N65FL2WG)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

Trench Field Stop 650V 100A 2V @ 15V,50A TO-247 IGBTs RoHS

891
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

D# 2156-NGTB50N65FL2WG-OS-ND

Rochester Electronics LLC

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

1206
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

In stock shipping within 2days

27795
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

D# 3615814

ON Semiconductor

IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 90
Container: Tube
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

ON SEMICONDUCTOR

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

15312
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

D# C185013

ON Semiconductor

891
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

D# 863-NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

IGBT Transistors 600V/50A FAST IGBT FSII T

RoHS: Compliant
27
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG.

D# 61AC1095

ON Semiconductor

DC Collector Current:100A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:417W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:175°C, Product Range:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A, 650V, N-Channel

RoHS: Compliant
1206
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

14416

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