Name: NP109N055PUK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP109N055PUK-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (84 reviews)

NP109N055PUK-E1-AY

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Numero di parte	NP109N055PUK-E1-AY
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NP109N055PUK-E1-AY

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	189nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11250pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP109N055PUK-E1-AY Packaging

NP109N055PUK-E1-AY FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# NP109N055PUK-E1-AY-ND

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