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NP32N055SLE-E1-AY

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NP32N055SLE-E1-AY

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Numero di parte NP32N055SLE-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
Scheda dati

NP32N055SLE-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NP32N055SLE-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.2W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252 (MP-3ZK)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica NP32N055SLE-E1-AY

NP32N055SLE-E1-AY Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that NP32N055SLE-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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TRANS MOSFET N-CH 55V 32A 3PIN TO-252 - Tape and Reel

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