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NP35N04YUG-E1-AY

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Numero di parte NP35N04YUG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Scheda dati

NP35N04YUG-E1-AY Scheda dati
pacchetto 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
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Specifiche NP35N04YUG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2850pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSON
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Scheda tecnica NP35N04YUG-E1-AY

NP35N04YUG-E1-AY Packaging

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Packing
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NP35N04YUG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP35N04YUG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP35N04YUG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NP35N04YUG-E1-AY?
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MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

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