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NP36P06SLG-E1-AY

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Numero di parte NP36P06SLG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
Scheda dati

NP36P06SLG-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Specifiche NP36P06SLG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3200pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252 (MP-3ZK)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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