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NP50P03YDG-E1-AY

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Numero di parte NP50P03YDG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Scheda dati

NP50P03YDG-E1-AY Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
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Specifiche NP50P03YDG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSON
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Scheda tecnica NP50P03YDG-E1-AY

NP50P03YDG-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
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NP50P03YDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP50P03YDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NP50P03YDG-E1-AY. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NP50P03YDG-E1-AY on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NP50P03YDG-E1-AY products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NP50P03YDG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NP50P03YDG-E1-AY?
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RENNP50P03YDG-E1-AY MOS FIELD EFFECT TRA

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MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

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pbFree: Yes
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