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NP60N03SUG-E1-AY

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NP60N03SUG-E1-AY

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Numero di parte NP60N03SUG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
Scheda dati

NP60N03SUG-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NP60N03SUG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.2W (Ta), 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252 (MP-3ZK)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica NP60N03SUG-E1-AY

NP60N03SUG-E1-AY Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP60N03SUG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP60N03SUG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 30V 60A TO252

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D# NS-NP60N03SUG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

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