Name: NP80N04PLG-E1B-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP80N04PLG-E1B-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (150 reviews)

NP80N04PLG-E1B-AY

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Numero di parte	NP80N04PLG-E1B-AY
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Scheda dati	NP80N04PLG-E1B-AY Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NP80N04PLG-E1B-AY

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica NP80N04PLG-E1B-AY

NP80N04PLG-E1B-AY Packaging

NP80N04PLG-E1B-AY FAQ

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6. What is the process for return or replacement of NP80N04PLG-E1B-AY?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NP80N04PLG-E1B-AY.

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(1)Inform us within 90 days

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RoHS (ship within 1day) - D/C 2014

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D# NP80N04PLG-E1B-AYTR-ND

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MOSFET N-CH 40V 80A TO263

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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OEM/CM ONLY

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