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NP80N04PUG-E1B-AY

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Numero di parte NP80N04PUG-E1B-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Scheda dati

NP80N04PUG-E1B-AY Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NP80N04PUG-E1B-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7350pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica NP80N04PUG-E1B-AY

NP80N04PUG-E1B-AY Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that NP80N04PUG-E1B-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP80N04PUG-E1B-AY price and inventory displayed accurate?
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