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NP90N06VLG-E1-AY

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NP90N06VLG-E1-AY

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Numero di parte NP90N06VLG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
Scheda dati

NP90N06VLG-E1-AY Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NP90N06VLG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6900pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.2W (Ta), 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8 mOhm @ 45A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica NP90N06VLG-E1-AY

NP90N06VLG-E1-AY Packaging

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NP90N06VLG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP90N06VLG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP90N06VLG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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