Name: NTB52N10T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTB52N10T4G
Availability: InStock
Rating: 5 (116 reviews)

NTB52N10T4G

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Numero di parte	NTB52N10T4G
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NTB52N10T4G

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	52A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3150pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 26A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTB52N10T4G Packaging

NTB52N10T4G FAQ

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The price and inventory of NTB52N10T4G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NTB52N10T4G we delivered, we will accept the replacement or return of the NTB52N10T4G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

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Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode

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