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NTB5605PG

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Numero di parte NTB5605PG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NTB5605PG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs140 mOhm @ 8.5A, 5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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NTB5605PG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTB5605PG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTB5605PG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTB5605PG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTB5605PG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTB5605PG price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET P-CH 60V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail - Bulk (Alt: NTB5605PG)

RoHS: Compliant
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ON Semiconductor

N/A 18.5 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

1154
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D# 2156-NTB5605PG-ON-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

10
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 18.5A I(D), 60V, 0.14OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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18.5A, 60V, 0.14ohm, P-Channel Power MOSFET

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10
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