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NTB6412ANT4G

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NTB6412ANT4G

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Numero di parte NTB6412ANT4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NTB6412ANT4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.2 mOhm @ 58A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTB6412ANT4G Packaging

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Packing
Insepction

NTB6412ANT4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTB6412ANT4G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTB6412ANT4G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTB6412ANT4G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTB6412ANT4G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTB6412ANT4G price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NTB6412ANT4G

D# NTB6412ANT4G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Bulk (Alt: NTB6412ANT4G)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NTB6412ANT4G

ON Semiconductor

MOSFET Transistor, Continuous Drain Current Id:58A, Drain Source Voltage Vds:100V, No. of Pins:3, On Resistance Rds(on):16.8mohm, Operating Temperature Max:175C, Operating Temperature Min:-55C, Package / Case:3-D2-PAK , RoHS Compliant: Yes

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NTB6412ANT4G

ON Semiconductor

N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mohms

2
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NTB6412ANT4G

D# 2156-NTB6412ANT4G-ONTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

8040
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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VBsemi Electronics Co Ltd

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1000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

10829
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D# NS-NTB6412ANT4G

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

6423
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NTB6412ANT4G

ON Semiconductor

Semiconductor

373
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NTB6412ANT4G

ON Semiconductor

58A, 100V, 0.0182ohm, N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
8040
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NTB6412ANT4G

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

5016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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ON Semiconductor

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