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NTD3808NT4G

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Numero di parte NTD3808NT4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NTD3808NT4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)16V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta), 76A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1660pF @ 12V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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NTD3808NT4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTD3808NT4G is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NTD3808NT4G price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTD3808NT4G?
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N/A 12 A, 16 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3

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MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK

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