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NTD4858NAT4G

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Numero di parte NTD4858NAT4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NTD4858NAT4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.2A (Ta), 73A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1563pF @ 12V
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD4858NAT4G Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

NTD4858NAT4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTD4858NAT4G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTD4858NAT4G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTD4858NAT4G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTD4858NAT4G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTD4858NAT4G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTD4858NAT4G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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