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NTGD3149CT1G

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NTGD3149CT1G

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Numero di parte NTGD3149CT1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Scheda dati
pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche NTGD3149CT1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds387pF @ 10V
Potenza - Max900mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

NTGD3149CT1G Packaging

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Packing
Insepction

NTGD3149CT1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTGD3149CT1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTGD3149CT1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTGD3149CT1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTGD3149CT1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTGD3149CT1G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTGD3149CT1G?
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Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.5/?2.7 A, TSOP?6 Dual

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MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

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