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NTGS4111PT2G

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Numero di parte NTGS4111PT2G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Scheda dati
pacchetto SOT-23-6
ECAD
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Specifiche NTGS4111PT2G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 3.7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / casoSOT-23-6

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Packing
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NTGS4111PT2G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTGS4111PT2G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTGS4111PT2G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTGS4111PT2G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTGS4111PT2G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTGS4111PT2G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTGS4111PT2G?
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