Name: NTLJD2105LTBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJD2105LTBG
Availability: InStock
Rating: 5 (125 reviews)

NTLJD2105LTBG

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Numero di parte	NTLJD2105LTBG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Scheda dati
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	36.000 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche NTLJD2105LTBG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	520mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)

NTLJD2105LTBG Packaging

NTLJD2105LTBG FAQ

1. How to order NTLJD2105LTBG on Heisener?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# NTLJD2105LTBG

ON Semiconductor

- Bulk (Alt: NTLJD2105LTBG)

RoHS: Compliant

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ON Semiconductor

N/A 8 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2 X 2 MM, LEAD FREE, CASE 506AZ-01, WDFN6, 6 PIN

44912

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D# 2156-NTLJD2105LTBG-ND

Rochester Electronics LLC

P-CHANNEL POWER MOSFET

44912

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

53894

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3000

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OEM/CM ONLY

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ON Semiconductor

Power Field-Effect Transistor, 8V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

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