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NTLJD3182FZTAG

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Numero di parte NTLJD3182FZTAG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 7.072 piece(s)
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Specifiche NTLJD3182FZTAG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

NTLJD3182FZTAG Packaging

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Packing
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NTLJD3182FZTAG FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTLJD3182FZTAG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTLJD3182FZTAG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTLJD3182FZTAG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTLJD3182FZTAG price and inventory displayed accurate?
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Rochester Electronics LLC

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ON Semiconductor

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A, 20V, P-Channel MOSFET

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