Name: NTLJS4149PTAG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJS4149PTAG
Availability: InStock
Rating: 5 (143 reviews)

NTLJS4149PTAG

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Numero di parte	NTLJS4149PTAG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
Scheda dati
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	4.144 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche NTLJS4149PTAG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 15V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 2A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad

NTLJS4149PTAG Packaging

NTLJS4149PTAG FAQ

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# NTLJS4149PTAG

ON Semiconductor

- Bulk (Alt: NTLJS4149PTAG)

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NTLJS4149PTAG

ON Semiconductor

N/A 2700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 2 X 2 MM, LEAD FREE, 506AP-01, WDFN6, 6 PIN

3000

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NTLJS4149PTAG

D# 2156-NTLJS4149PTAG-ONTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN

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Rochester Electronics LLC

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NTLJS4149PTAG

D# NS-NTLJS4149PTAG

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Produttore

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NTLJS4149PTAG

ON Semiconductor

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A, 30V, P-Channel MOSFET

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