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NTMS4935NR2G

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Numero di parte NTMS4935NR2G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche NTMS4935NR2G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3639pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)810mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.1 mOhm @ 7.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMS4935NR2G Packaging

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Packing
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NTMS4935NR2G FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that NTMS4935NR2G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTMS4935NR2G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTMS4935NR2G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTMS4935NR2G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTMS4935NR2G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTMS4935NR2G?
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Power MOSFET 30 V, 16 A, N-Channel, SO-8

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