Name: NTMSD3P303R2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMSD3P303R2G
Availability: InStock
Rating: 5 (82 reviews)

NTMSD3P303R2G

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Numero di parte	NTMSD3P303R2G
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
A magazzino	120.408 piece(s)
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Specifiche NTMSD3P303R2G

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	FETKY?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.34A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 24V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.05A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMSD3P303R2G Packaging

NTMSD3P303R2G FAQ

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3. Are the NTMSD3P303R2G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of NTMSD3P303R2G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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