Name: NTP6411ANG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTP6411ANG
Availability: InStock
Rating: 5 (120 reviews)

NTP6411ANG

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Numero di parte	NTP6411ANG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 72A TO-220AB
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	5.968 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche NTP6411ANG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	77A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 72A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

NTP6411ANG Packaging

NTP6411ANG FAQ

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2. How does Heisener guarantee that NTP6411ANG is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the NTP6411ANG price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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D# VN5:3623_16966281

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET Transistor, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:72A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):12.7mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation Pd:188W , RoHS Compliant: Yes

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