Name: NVB6412ANT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVB6412ANT4G
Availability: InStock
Rating: 5 (93 reviews)

NVB6412ANT4G

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Numero di parte	NVB6412ANT4G
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
A magazzino	4.704 piece(s)
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Specifiche NVB6412ANT4G

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.2 mOhm @ 58A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK-3
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVB6412ANT4G Packaging

NVB6412ANT4G FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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NFET D2PAK 100V 59A 20MO - Tape and Reel

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MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3

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