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NVF2955PT1G

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Numero di parte NVF2955PT1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino 3.504 piece(s)
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Specifiche NVF2955PT1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds492pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs185 mOhm @ 2.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

NVF2955PT1G Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

NVF2955PT1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVF2955PT1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NVF2955PT1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NVF2955PT1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NVF2955PT1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NVF2955PT1G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVF2955PT1G?
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