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PBSS8510PA,115

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PBSS8510PA,115

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Numero di parte PBSS8510PA,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione TRANS NPN 100V 5.2A SOT1061
Scheda dati

PBSS8510PA,115 Scheda dati

pacchetto 3-UDFN
ECAD
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Specifiche PBSS8510PA,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchetto3-UDFN
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)5.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic340mV @ 260mA, 5.2A
Corrente - Limite del collettore (max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce95 @ 2A, 2V
Potenza - Max2.1W
Frequenza - Transizione150MHz
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso3-UDFN
Pacchetto dispositivo fornitore3-HUSON (2x2)

Scheda tecnica PBSS8510PA,115

PBSS8510PA,115 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that PBSS8510PA,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PBSS8510PA,115 price and inventory displayed accurate?
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D# V36:1790_06535334

Nexperia

Trans GP BJT NPN 100V 5.2A 2100mW 3-Pin HUSON T/R

RoHS: Compliant
0
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Nexperia

Trans GP BJT NPN 100V 5.2A 3-Pin HUSON3 T/R - Tape and Reel (Alt: PBSS8510PA,115)

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Trans GP BJT NPN 100V 5.2A 3-Pin HUSON3 T/R (Alt: PBSS8510PA,115)

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Trans GP BJT NPN 100V 5.2A 3-Pin HUSON3 T/R (Alt: PBSS8510PA,115)

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TRANS NPN 100V 5.2A SOT1061

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913
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51000
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