Name: PDTD114EQAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PDTD114EQAZ
Availability: InStock
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PDTD114EQAZ

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Numero di parte	PDTD114EQAZ
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Scheda dati	PDTD114EQAZ Scheda dati
pacchetto	3-XDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	4.976 piece(s)
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Specifiche PDTD114EQAZ

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto	3-XDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	210MHz
Potenza - Max	325mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1010D-3

Scheda tecnica PDTD114EQAZ

PDTD114EQAZ Packaging

PDTD114EQAZ FAQ

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D# PDTD114EQAZ-ND

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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BIPOLAR PB

RoHS: Compliant

4999

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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BIPOLAR PB

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