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PDTD143XQAZ

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Numero di parte PDTD143XQAZ
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Scheda dati

PDTD143XQAZ Scheda dati

pacchetto 3-XDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche PDTD143XQAZ

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto3-XDFN Exposed Pad
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione210MHz
Potenza - Max325mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010D-3

Scheda tecnica PDTD143XQAZ

PDTD143XQAZ Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PDTD143XQAZ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PDTD143XQAZ is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# PDTD143XQAZ

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PDTD143XQA/DFN1010D-3/REEL 7 - Tape and Reel (Alt: PDTD143XQAZ)

0
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D# PDTD143XQAZ-ND

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TRANS PREBIAS NPN 3DFN

0
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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BIPOLAR PB

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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BIPOLAR PB

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