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PEMD18,115

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Numero di parte PEMD18,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Scheda dati

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pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche PEMD18,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
Serie-
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)1µA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-666

Scheda tecnica PEMD18,115

PEMD18,115 Packaging

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Packing
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PEMD18,115 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PEMD18,115. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PEMD18,115 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PEMD18,115 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R - Bulk (Alt: PEMD18,115)

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NXP Semiconductors

Now Nexperia PEMD18 - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A, 50V, 2-Element, NPN and PNP, SOT6

RoHS: Compliant
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