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PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PHKD3NQ10T,518
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Scheda dati

PHKD3NQ10T,518 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche PHKD3NQ10T,518

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds633pF @ 20V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PHKD3NQ10T,518 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# C1S537100396541

Nexperia

PHKD3NQ10T/SOT96/SO8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
199
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D# PHKD3NQ10T,518-ND

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MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

0
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D# 2777608RL

Nexperia

MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 3A, SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

360
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NXP Semiconductors

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5016
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