Name: PJD2NA60_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJD2NA60_R2_00001
Availability: InStock
Rating: 5 (130 reviews)

PJD2NA60_R2_00001

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Numero di parte	PJD2NA60_R2_00001
Produttore	Panjit International Inc.
Descrizione	600V N-CHANNEL MOSFET
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
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Specifiche PJD2NA60_R2_00001

Produttore	Panjit International Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.7 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	257 pF @ 25 V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJD2NA60_R2_00001 Packaging

PJD2NA60_R2_00001 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJD2NA60_R2_00001.

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(1)Inform us within 90 days

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