| Numero di parte | PMPB40SNA,115 |
|---|---|
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 6-UDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.808 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 6-UDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 612pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 4.8A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
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SIT1602BC-73-18E-24.000000D | SiTime, -20 TO 70C, 2016, 50PPM, 1.8V, 2, -, - | Visualizza |
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1210J0500124KDR | Knowles Syfer, CAP CER 0.12UF 50V X7R 1210, 1210 (3225 Metric), - | Visualizza |
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02013A820GAT2A | AVX Corporation, CAP CER 82PF 25V NP0 0201, 0201 (0603 Metric), - | Visualizza |
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K100J15C0GF55L2 | Vishay BC Components, CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 RADIAL, Radial, - | Visualizza |
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TPS54308DDCT | Texas Instruments, 4.5V TO 28V INPUT, 3A OUTPUT, SY, -, - | Visualizza |
 
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MAX6793TPLD3+ | Maxim Integrated, IC REG LIN W/SPR VSR 20-TQFN, 20-WQFN Exposed Pad, - | Visualizza |
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SMAJ18CA-M3/5A | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO-214AC, DO-214AC, SMA, - | Visualizza |
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0217005.VXP | Littelfuse Inc., FUSE GLASS 5A 250VAC 5X20MM, 5mm x 20mm, - | Visualizza |
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CLP-112-02-L-D-A-K | Samtec Inc., .050" X .050, -, - | Visualizza |
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AXT436114 | Panasonic Electric Works, CONN HEADER .4MM 36POS SMD, -, - | Visualizza |
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HSEC8-160-01-S-RA-TR | Samtec Inc., 8MM HIGH SPEED DUAL R/A MO, -, - | Visualizza |
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AXA000BB18-L | Artesyn Embedded Technologies, DC/DC CONVERTER 12V 10W, 6-DIP Module, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB40SNA,115 D# PMPB40SNA115 |
NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.9A 6-Pin DFN-MD T/R - Bulk (Alt: PMPB40SNA115) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB40SNA,115 D# 568-10446-2-ND |
Nexperia |
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN |
0 |
PMPB40SNA115 D# 2156-PMPB40SNA115-ND |
Rochester Electronics LLC |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
59000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB40SNA115 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
70800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB40SNA115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
1702 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB40SNA115 |
NXP Semiconductors |
Now Nexperia PMPB40SNA Power Field-Effect Transistor, SOT1220 RoHS: Compliant
|
59000 |
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