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PSMN018-80YS,115

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Numero di parte PSMN018-80YS,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK
Scheda dati

PSMN018-80YS,115 Scheda dati

pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche PSMN018-80YS,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1640pF @ 40V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

Scheda tecnica PSMN018-80YS,115

PSMN018-80YS,115 Packaging

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Packing
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Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Bulk (Alt: PSMN018-80YS115)

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Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: PSMN018-80YS,115)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Nexperia

N-Channel 80V 45A(Tc) 4V @ 1mA 18mohms @ 5A,10V 89W(Tc) SOT-669 MOSFET RoHS

2349
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D# 1727-4627-1-ND

Nexperia

MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56

25947

PSMN018-80YS115

D# 2156-PSMN018-80YS115-NEX-ND

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NOW NEXPERIA 45A, 80V, 0.018OHM,

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 1845660RL

Nexperia

MOSFET,N CH,80V,45A,LFPAK

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
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36000
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80V N-CHANNEL STD LEVEL

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Nexperia

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