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PSMN3R4-30BLE,118

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Numero di parte PSMN3R4-30BLE,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V D2PAK
Scheda dati

PSMN3R4-30BLE,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PSMN3R4-30BLE,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4682pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PSMN3R4-30BLE,118

PSMN3R4-30BLE,118 Packaging

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Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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0
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D# 1727-1102-1-ND

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

1907
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D# 2254224

Nexperia

MOSFET, N-CH, 30V, 120A, D2PAK

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Min Qty: 5
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Nexperia

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

960
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1218
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MOSFET N-channel 30 V 3.4 mo FET

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638
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3200
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Nexperia

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